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RP1E090RP
　
Data Sheet
100
Ta=25°C
10000
Ta=25 ? C
10
Ta=25 ? C
I D = -9.0A
Pulsed
1000
t d(off)
t f
V DD = -15V
V GS =-10V
R G =10 ?
Pulsed
V DD = -15V
8 I D =-9.0A
R G =10 ?
6 Pulsed
50
I D = -4.5A
100
4
0
10
1
t r
t d(on)
2
0
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
0
10
20
30
40
50
60
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
DRAIN-CURRENT : ?? I D [A]
Fig.11 Switching 　 Characteristics
Operation in this area is limited by
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
Ciss
100
10
R DS(on)
P W =100us
1000
Coss
1
DC operation
P W =1ms
P W = 10ms
100
Ta=25 ? C
f=1MHz
V GS =0V
Crss
0.1
0.01
Ta = 25 ? C
Single Pulse
Mounted on a CERAMIC
board
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
10
1
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Ta = 25 ℃
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS [V]
Fig.14 Maximum Safe Operating Aera
0.01
0.001
Single Pulse : 1Unit
Rth （ ch-a ）（ t ） = ｒ（ t ） ×Rth （ ch-a ）
Rth （ ch-a ） = 62.5 ℃ /W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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